DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated


DMPH6050SSDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 2W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMPH6050SSDQ-13 за ціною від 19.69 грн до 99.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.99 грн
10+59.77 грн
100+34.39 грн
500+26.93 грн
1000+24.47 грн
2500+20.46 грн
5000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMPH6050SSDQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.69 грн
10+60.49 грн
100+38.54 грн
500+28.32 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.99 грн
10+59.77 грн
100+34.39 грн
500+26.93 грн
1000+24.47 грн
2500+20.46 грн
5000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13 DMPH6050SSDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.69 грн
10+60.49 грн
100+38.54 грн
500+28.32 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.