
DMPH6250SQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 9.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH6250SQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 920mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMPH6250SQ-13 за ціною від 9.42 грн до 39.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 920mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 53557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.62W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
DMPH6250SQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 920mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMPH6250SQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -13A; 1.62W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.5A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.62W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |