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Технічний опис DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 920mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMPH6250SQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DMPH6250SQ-13 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DMPH6250SQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 920mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMPH6250SQ-13 | Diodes |
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Транзистори |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMPH6250SQ-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6250SQ-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6250SQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 920mW
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH6250SQ-13 |
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Виробник: Diodes
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Транзистори
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)