DMS2085LSD-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMS2085LSD-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.35 грн |
| 500+ | 9.67 грн |
| 1000+ | 8.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMS2085LSD-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMS2085LSD-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMS2085LSD-13 за ціною від 6.08 грн до 39.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMS2085LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMS2085LSD-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMS2085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr |
на замовлення 4406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMS2085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 15 V |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMS2085LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353 pF @ 15 V |
на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |