Продукція > DIODES INCORPORATED > DMS3014SFG-7
DMS3014SFG-7

DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated

DMS3014SFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.4A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMS3014SFG-7 за ціною від 14.64 грн до 41.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMS3014SFG-7 DMS3014SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMS3014SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 41885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.97 грн
10+34.40 грн
100+25.70 грн
500+18.95 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFG-7 DMS3014SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMS3014SFG-218772.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.