DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated


DMS3014SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMS3014SFGQ-7 за ціною від 19.56 грн до 51.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMS3014SFGQ-7 DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+42.98 грн
100+32.97 грн
500+24.45 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFGQ-7 DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFGQ-7 DMS3014SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+42.98 грн
100+32.97 грн
500+24.45 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMS3014SFGQ-7 DMS3014SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.