| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.79 грн |
| 10+ | 76.21 грн |
| 100+ | 48.74 грн |
| 500+ | 39.66 грн |
| 1000+ | 35.33 грн |
| 2000+ | 32.40 грн |
| 4000+ | 30.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMT10H009LCG-7 за ціною від 36.62 грн до 120.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|