Продукція > DIODES ZETEX > DMT10H009LCG-7
DMT10H009LCG-7

DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex

dmt10h009lcg.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H009LCG-7 за ціною від 33.13 грн до 130.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.00 грн
500+46.53 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.81 грн
11+81.60 грн
100+59.00 грн
500+46.53 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645143_1-2542749.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.73 грн
10+82.35 грн
100+52.67 грн
500+42.86 грн
1000+38.18 грн
2000+35.01 грн
4000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.60 грн
10+81.75 грн
100+54.95 грн
500+40.74 грн
1000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : Diodes Inc dmt10h009lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h009lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H009LCG.pdf DMT10H009LCG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.