
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 36.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H009LCG-7 за ціною від 32.30 грн до 127.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: VDFN3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMT10H009LCG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
DMT10H009LCG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |