Продукція > DIODES ZETEX > DMT10H009LCG-7
DMT10H009LCG-7

DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex

dmt10h009lcg.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 12.4A 8-Pin VDFN EP T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009LCG-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMT10H009LCG-7 за ціною від 36.12 грн до 118.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.61 грн
100+48.73 грн
500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645143_1-2542749.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DMT10H009LCG.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.56 грн
10+72.61 грн
100+48.73 грн
500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DIOD_S_A0006645143_1-2542749.pdf
DMT10H009LCG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009LCG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LCG-7 DIOD-S-A0006645143-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009LCG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0072 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.