
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.70 грн |
10+ | 67.68 грн |
25+ | 57.75 грн |
75+ | 49.07 грн |
300+ | 42.52 грн |
525+ | 41.71 грн |
1050+ | 40.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H009LH3 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 84A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H009LH3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DMT10H009LH3 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
DMT10H009LH3 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DMT10H009LH3 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
||
DMT10H009LH3 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |