DMT10H009LPS-13

DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated


DMT10H009LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 67500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.15 грн
5000+ 23.06 грн
12500+ 22 грн
25000+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H009LPS-13 за ціною від 22.12 грн до 66.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 69659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.08 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.25 грн
500+ 29.63 грн
1000+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363689_1-2542989.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 53.32 грн
100+ 36.07 грн
500+ 30.56 грн
1000+ 26.04 грн
2500+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMT10H009LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H009LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 360A; 2.9W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.5mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40.2nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
товар відсутній