Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H009LPS-13
DMT10H009LPS-13

DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated

DMT10H009LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H009LPS-13 за ціною від 24.50 грн до 106.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363689_1-2542989.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.82 грн
10+58.38 грн
100+36.20 грн
500+29.06 грн
1000+26.78 грн
2500+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+65.83 грн
100+43.78 грн
500+32.19 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13 DMT10H009LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H009LPS.pdf DMT10H009LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.