Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H009SCG-7
DMT10H009SCG-7

DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated

DMT10H009SCG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+26.21 грн
4000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3333-8 (Type B), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H009SCG-7 за ціною від 25.05 грн до 75.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H009SCG-7 Diodes Zetex DMT10H009SCG.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956441_1-2512948.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+75.14 грн
10+60.39 грн
100+40.85 грн
500+34.61 грн
1000+29.72 грн
2000+25.28 грн
4000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DMT10H009SCG.pdf
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SCG-7 DIOD_S_A0012956441_1-2512948.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333-8 T&R 2K
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.14 грн
10+60.39 грн
100+40.85 грн
500+34.61 грн
1000+29.72 грн
2000+25.28 грн
4000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.