Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H009SK3-13
DMT10H009SK3-13

DMT10H009SK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H009SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.30 грн
5000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H009SK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm.

Інші пропозиції DMT10H009SK3-13 за ціною від 41.16 грн до 41.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 Diodes Zetex dmt10h009sk3.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DMT10H009SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 dmt10h009sk3.pdf
DMT10H009SK3-13
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMT10H009SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SK3-13 DIOD-S-A0009691684-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMT10H009SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 91 A, 6900 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.