Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DMT10H009SPS-13 транзистор

DMT10H009SPS-13 транзистор

Код товару: 197183
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMT10H009SPS-13 транзистор за ціною від 23.77 грн до 109.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.08 грн
500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.38 грн
10+64.62 грн
100+37.34 грн
500+29.26 грн
1000+26.65 грн
2500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.02 грн
10+64.38 грн
100+42.80 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.94 грн
12+69.99 грн
100+48.08 грн
500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.08 грн
500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.38 грн
10+64.62 грн
100+37.34 грн
500+29.26 грн
1000+26.65 грн
2500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS.pdf
DMT10H009SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.02 грн
10+64.38 грн
100+42.80 грн
500+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.94 грн
12+69.99 грн
100+48.08 грн
500+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.