DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 33.14 грн |
| 5000+ | 30.39 грн |
| 12500+ | 28.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H009SSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8 nC @ 10 V.
Інші пропозиції DMT10H009SSS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H009SSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H009SSS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.