Технічний опис DMT10H010LCT Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc).
Інші пропозиції DMT10H010LCT за ціною від 49.77 грн до 161.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT10H010LCT | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H010LCT | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220ABFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) |
на замовлення 9323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H010LCT |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.21 грн |
| DMT10H010LCT |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.21 грн |
| DMT10H010LCT |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.60 грн |
| 50+ | 73.58 грн |
| 100+ | 66.76 грн |
| 500+ | 54.96 грн |
| 1000+ | 50.57 грн |
| 2000+ | 49.77 грн |
| DMT10H010LCT |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





