DMT10H010LCT Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 50.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
120 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010LCT Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H010LCT за ціною від 50.45 грн до 163.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT10H010LCT | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT10H010LCT | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 9323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H010LCT |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.35 грн |
| DMT10H010LCT |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 220+ | 64.35 грн |
| DMT10H010LCT |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.82 грн |
| 50+ | 74.59 грн |
| 100+ | 67.67 грн |
| 500+ | 55.71 грн |
| 1000+ | 51.26 грн |
| 2000+ | 50.45 грн |
| DMT10H010LCT |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)