Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LK3-13
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H010LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.05 грн
5000+38.69 грн
7500+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H010LK3-13 за ціною від 39.77 грн до 151.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.95 грн
208+68.26 грн
241+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.52 грн
11+68.95 грн
25+68.26 грн
100+56.79 грн
250+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.03 грн
100+62.95 грн
500+46.99 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.95 грн
208+68.26 грн
241+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.52 грн
11+68.95 грн
25+68.26 грн
100+56.79 грн
250+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.44 грн
10+93.03 грн
100+62.95 грн
500+46.99 грн
1000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.