Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LK3-13
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H010LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.86 грн
5000+39.41 грн
7500+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (25-Jun-2020), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Інші пропозиції DMT10H010LK3-13 за ціною від 39.59 грн до 154.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.64 грн
208+67.95 грн
241+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.17 грн
11+68.64 грн
25+67.95 грн
100+56.54 грн
250+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
10+94.78 грн
100+64.13 грн
500+47.87 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 DIODES INC. 2211392.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 DIODES INC. 2211392.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+68.64 грн
208+67.95 грн
241+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 dmt10h010lk3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.17 грн
11+68.64 грн
25+67.95 грн
100+56.54 грн
250+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.28 грн
10+94.78 грн
100+64.13 грн
500+47.87 грн
1000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 2211392.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 2211392.pdf
DMT10H010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 68.8 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.