Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LK3-13
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H010LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.04 грн
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H010LK3-13 за ціною від 31.78 грн до 73.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+59.35 грн
208+58.75 грн
241+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.76 грн
11+55.11 грн
25+54.56 грн
100+45.39 грн
250+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 18843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+44.45 грн
100+38.50 грн
500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H010LK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 34660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.38 грн
10+61.68 грн
100+41.35 грн
500+36.34 грн
1000+34.87 грн
2500+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LK3-13 DMT10H010LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 275A; 3W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 3W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.