Технічний опис DMT10H010LK3-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H010LK3-13 за ціною від 39.59 грн до 146.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMT10H010LK3-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V |
на замовлення 26734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H010LK3-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.51 грн |
| DMT10H010LK3-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 68.64 грн |
| 208+ | 67.95 грн |
| 241+ | 58.63 грн |
| DMT10H010LK3-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 68.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.17 грн |
| 11+ | 68.64 грн |
| 25+ | 67.95 грн |
| 100+ | 56.54 грн |
| 250+ | 39.59 грн |
| DMT10H010LK3-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 50 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.90 грн |
| 10+ | 90.54 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 45.73 грн |
| 1000+ | 41.95 грн |
| DMT10H010LK3-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 26734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)