DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMT10H010LPS-13 за ціною від 38.69 грн до 86.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 5021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson |
на замовлення 11207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |