DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 139W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm.
Інші пропозиції DMT10H010LPS-13 за ціною від 41.98 грн до 173.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 5021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson |
на замовлення 5061 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 139W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.82 грн |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.28 грн |
| 10+ | 49.76 грн |
| 100+ | 45.27 грн |
| 500+ | 42.24 грн |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 182+ | 78.43 грн |
| 184+ | 77.64 грн |
| 220+ | 64.75 грн |
| 250+ | 61.82 грн |
| 500+ | 50.95 грн |
| 1000+ | 48.56 грн |
| 3000+ | 48.21 грн |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.08 грн |
| 10+ | 78.43 грн |
| 25+ | 77.64 грн |
| 100+ | 62.44 грн |
| 250+ | 57.24 грн |
| 500+ | 48.91 грн |
| 1000+ | 48.56 грн |
| 3000+ | 48.21 грн |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.20 грн |
| 10+ | 86.63 грн |
| 100+ | 64.14 грн |
| 500+ | 52.29 грн |
| 1000+ | 46.88 грн |
| 2500+ | 41.98 грн |
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMT10H010LPS-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 139W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)