Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

Name: DMT10H010LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5453130-3
Price: 108775 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	43.51 грн
5000+	40.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 0.0069 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H010LPS-13 за ціною від 38.17 грн до 133.25 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 0.0069 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	65.29 грн
500+	58.34 грн
1000+	51.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
182+	66.89 грн
184+	66.22 грн
220+	55.22 грн
250+	52.72 грн
500+	43.45 грн
1000+	41.41 грн
3000+	41.11 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	70.54 грн
10+	62.11 грн
25+	61.49 грн
100+	49.45 грн
250+	45.33 грн
500+	38.73 грн
1000+	38.45 грн
3000+	38.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 2456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	116.63 грн
10+	89.52 грн
100+	63.24 грн
500+	58.11 грн
1000+	53.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 22701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	119.59 грн
10+	81.83 грн
100+	59.42 грн
500+	47.42 грн
1000+	43.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson

на замовлення 16497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	133.25 грн
10+	93.46 грн
100+	57.33 грн
500+	46.93 грн
1000+	45.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

DMT10H010LPS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.