Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

Name: DMT10H010LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5453130-3
Price: 113200.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	45.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT10H010LPS-13 за ціною від 41.91 грн до 94.24 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	47.65 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	60.46 грн
500+	55.12 грн
1000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
182+	68.18 грн
184+	67.50 грн
220+	56.29 грн
250+	53.74 грн
500+	44.29 грн
1000+	42.21 грн
3000+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 5021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.58 грн
10+	52.69 грн
100+	47.93 грн
500+	44.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 4167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	82.97 грн
10+	73.05 грн
25+	72.32 грн
100+	58.16 грн
250+	53.31 грн
500+	45.56 грн
1000+	45.23 грн
3000+	44.90 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	86.38 грн
14+	61.48 грн
100+	60.46 грн
500+	55.12 грн
1000+	50.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET Low Rdson

на замовлення 11207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	94.24 грн
10+	74.57 грн
25+	64.77 грн
100+	53.60 грн
250+	53.52 грн
500+	48.84 грн
1000+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H010LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.