на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT10H010LSS-13 за ціною від 40.08 грн до 134.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V |
на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 4432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMT10H010LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT10H010LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMT10H010LSS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |