Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H010LSS-13
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated

DMT10H010LSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H010LSS-13 за ціною від 39.64 грн до 110.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Zetex 692977993386747dmt10h010lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.56 грн
10+80.56 грн
100+60.71 грн
500+46.49 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSS-3214395.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 692977993386747dmt10h010lss.pdf
DMT10H010LSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS.pdf
DMT10H010LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.56 грн
10+80.56 грн
100+60.71 грн
500+46.49 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DMT10H010LSS-3214395.pdf
DMT10H010LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 4432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H010LSS-13 DIOD-S-A0004259679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 29.5 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.