DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.23 грн |
| 5000+ | 30.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT10H010SPS-13 за ціною від 32.00 грн до 127.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010SPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010SPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H010SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 50 V |
на замовлення 6674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT10H010SPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMT10H010SPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT10H010SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.6A; Idm: 250A; 1.2W Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 8.6A Gate charge: 56.4nC On-state resistance: 11.5mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |