Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H014LSS-13
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated

DMT10H014LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.97 грн
5000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT10H014LSS-13 за ціною від 32.37 грн до 120.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2039dmt10h014lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.48 грн
500+44.72 грн
1000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.27 грн
11+78.13 грн
100+56.48 грн
500+44.72 грн
1000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497810_1-2542154.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.02 грн
10+77.99 грн
100+51.59 грн
500+41.76 грн
1000+36.48 грн
2500+32.51 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.67 грн
10+75.53 грн
100+51.14 грн
500+38.45 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2039dmt10h014lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2039dmt10h014lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Виробник : Diodes Inc 2039dmt10h014lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H014LSS.pdf DMT10H014LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.