Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H014LSS-13
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated

DMT10H014LSS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.65 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції DMT10H014LSS-13 за ціною від 32.81 грн до 95.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Zetex 2039dmt10h014lss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H014LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.87 грн
10+64.63 грн
100+48.40 грн
500+35.88 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497810_1-2542154.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 2039dmt10h014lss.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 8.9A 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DMT10H014LSS.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 111690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.87 грн
10+64.63 грн
100+48.40 грн
500+35.88 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DIOD_S_A0002497810_1-2542154.pdf
DMT10H014LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H014LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H014LSS-13 DIOD-S-A0002497810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H014LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H014LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.9 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.