Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LCG-7
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated

DMT10H015LCG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LCG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: VDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMT10H015LCG-7 за ціною від 25.69 грн до 99.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.19 грн
500+36.31 грн
1000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LCG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.0121 ohm, VDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: VDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.33 грн
13+64.55 грн
100+46.19 грн
500+36.31 грн
1000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LCG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+61.24 грн
100+40.29 грн
500+31.80 грн
1000+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737156_1-2542638.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 47155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+66.08 грн
100+37.80 грн
500+30.38 грн
1000+27.96 грн
2000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 DMT10H015LCG-7 Виробник : Diodes Inc dmt10h015lcg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin VDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LCG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LCG.pdf DMT10H015LCG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.