Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LFG-13
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.92 грн
6000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015LFG-13 за ціною від 32.03 грн до 120.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.17 грн
10+72.88 грн
100+48.70 грн
500+35.96 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf DMT10H015LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004140850_1-2542448.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.