DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 29.60 грн |
| 4000+ | 26.87 грн |
| 6000+ | 26.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H015LFG-7 за ціною від 26.57 грн до 72.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V |
на замовлення 108296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
DMT10H015LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |

