Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H015LFG-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMT10H015LFG-7 за ціною від 33.94 грн до 138.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H015LFG-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H015LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 355+ | 39.60 грн |
| DMT10H015LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.42 грн |
| 14+ | 55.62 грн |
| 25+ | 55.32 грн |
| 100+ | 44.68 грн |
| 250+ | 40.95 грн |
| 500+ | 34.79 грн |
| 1000+ | 33.94 грн |
| DMT10H015LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 172+ | 81.94 грн |
| 174+ | 81.14 грн |
| 204+ | 69.06 грн |
| 250+ | 65.93 грн |
| 500+ | 52.68 грн |
| 1000+ | 37.71 грн |
| DMT10H015LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.55 грн |
| 10+ | 85.09 грн |
| 100+ | 57.41 грн |
| DMT10H015LFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)