Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LFG-7
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated

DMT10H015LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.59 грн
4000+26.86 грн
6000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015LFG-7 за ціною від 26.56 грн до 71.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
355+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.18 грн
10+36.94 грн
100+33.21 грн
500+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004140850_1-2542448.pdf MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.64 грн
10+40.27 грн
100+31.54 грн
500+30.86 грн
1000+29.58 грн
2000+27.09 грн
4000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+59.15 грн
14+51.88 грн
25+51.60 грн
100+41.67 грн
250+38.20 грн
500+32.45 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+71.34 грн
174+70.63 грн
204+60.12 грн
250+57.40 грн
500+45.86 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Inc dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 75A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 33.3nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.