Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LK3-13
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.50 грн
5000+30.80 грн
7500+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT10H015LK3-13 за ціною від 30.53 грн до 95.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.23 грн
500+47.28 грн
1000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LK3.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+66.21 грн
100+46.28 грн
500+36.56 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005737080_1-2542901.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+71.41 грн
100+43.41 грн
500+35.02 грн
1000+32.30 грн
2500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52.7 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.73 грн
12+73.95 грн
100+53.23 грн
500+47.28 грн
1000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 DMT10H015LK3-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LK3.pdf DMT10H015LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.