Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated

Name: DMT10H015LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5699711-3
Price: 77025 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V

на замовлення 107500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	30.81 грн
5000+	29.24 грн
7500+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H015LPS-13 за ціною від 31.63 грн до 97.37 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	32.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0011396860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	47.55 грн
500+	42.25 грн
1000+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
153+	79.44 грн
155+	78.67 грн
200+	60.82 грн
250+	58.07 грн
500+	44.15 грн
1000+	33.26 грн

Мінімальне замовлення: 153

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V

на замовлення 108220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	91.87 грн
10+	62.46 грн
100+	44.06 грн
500+	34.80 грн
1000+	32.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	96.09 грн
13+	67.43 грн
100+	47.55 грн
500+	42.25 грн
1000+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.37 грн
10+	67.36 грн
100+	41.29 грн
500+	33.31 грн
1000+	31.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LPS-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

DMT10H015LPS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.