Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LPS-13
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated

DMT10H015LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.42 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.12 грн
500+ 34.3 грн
1000+ 27.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015LPS-13 за ціною від 28.1 грн до 79.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+76.17 грн
155+ 75.43 грн
200+ 58.32 грн
250+ 55.68 грн
500+ 42.34 грн
1000+ 31.89 грн
Мінімальне замовлення: 153
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011396860_1-2543727.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.41 грн
10+ 61.65 грн
100+ 41.72 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 28.76 грн
2500+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.64 грн
10+ 70.73 грн
25+ 70.04 грн
100+ 52.22 грн
250+ 47.87 грн
500+ 37.74 грн
1000+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMT10H015LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015lps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товар відсутній
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
товар відсутній
DMT10H015LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 150A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 8A
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
товар відсутній