Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

Name: DMT10H015LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5699712-3
Price: 80550 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	32.22 грн
5000+	28.83 грн
7500+	28.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H015LSS-13 за ціною від 26.85 грн до 118.58 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
362+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 362

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	33.99 грн
25+	33.45 грн
100+	31.75 грн
250+	28.92 грн
500+	27.31 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0002833477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	44.15 грн
500+	40.23 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	72.21 грн
15+	58.76 грн
100+	44.15 грн
500+	40.23 грн
1000+	36.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

на замовлення 2305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	89.26 грн
10+	61.68 грн
25+	53.48 грн
100+	41.35 грн
250+	41.20 грн
500+	35.97 грн
1000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V

на замовлення 58894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	118.58 грн
10+	71.96 грн
100+	47.11 грн
500+	35.55 грн
1000+	32.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT10H015LSS-13

Виробник : DIODES INCORPORATED

DMT10H015LSS-13 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.