Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015SK3-13
DMT10H015SK3-13

DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H015SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.24 грн
5000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015SK3-13 за ціною від 26.19 грн до 83.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007739996_1-2542995.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.19 грн
10+63.20 грн
100+42.74 грн
500+36.27 грн
1000+29.57 грн
2500+27.74 грн
5000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H015SK3.pdf DMT10H015SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.78 грн
29+38.07 грн
78+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.