DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DMT10H015SK3-13 за ціною від 25.46 грн до 113.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT10H015SK3-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H015SK3-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H015SK3-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H015SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Pulsed drain current: 215A Power dissipation: 2.9W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2462 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMT10H015SK3-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMT10H015SK3-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.78 грн |
| DMT10H015SK3-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.81 грн |
| DMT10H015SK3-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.49 грн |
| DMT10H015SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 72.93 грн |
| 10+ | 51.47 грн |
| 25+ | 44.95 грн |
| 100+ | 37.92 грн |
| 500+ | 31.32 грн |
| 1000+ | 30.81 грн |
| DMT10H015SK3-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.22 грн |
| 10+ | 70.93 грн |
| 100+ | 40.58 грн |
| 500+ | 32.07 грн |
| 1000+ | 28.90 грн |
| 2500+ | 25.46 грн |





