Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H015SK3-13
DMT10H015SK3-13

DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated

DMT10H015SK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.41 грн
5000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H015SK3-13 за ціною від 27.32 грн до 81.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8D85B1910AE0CE&compId=DMT10H015SK3.pdf?ci_sign=090259042cdd227154a2540f76ef3efe1729ad10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 215A; 2.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 215A
Power dissipation: 2.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.56 грн
10+39.96 грн
25+34.61 грн
100+31.65 грн
500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007739996_1-2542995.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.55 грн
10+65.92 грн
100+44.58 грн
500+37.83 грн
1000+30.85 грн
2500+28.93 грн
5000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h015sk3.pdf 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.