DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.60 грн |
| 10+ | 100.38 грн |
| 100+ | 61.31 грн |
| 500+ | 49.37 грн |
| 1000+ | 46.85 грн |
| 2500+ | 40.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT10H017LPD-13 за ціною від 47.34 грн до 162.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H017LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|