DMT10H025LK3-13

DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated


DMT10H025LK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.44 грн
5000+19.42 грн
7500+19.10 грн
12500+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT10H025LK3-13 за ціною від 19.06 грн до 85.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645051_1-2542856.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.45 грн
10+45.37 грн
100+27.23 грн
500+21.72 грн
1000+19.90 грн
2500+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.63 грн
10+51.97 грн
100+34.48 грн
500+25.13 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.