Продукція > DIODES ZETEX > DMT10H025LK3-13
DMT10H025LK3-13

DMT10H025LK3-13 Diodes Zetex

dmt10h025lk3.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H025LK3-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT10H025LK3-13 за ціною від 17.62 грн до 86.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.73 грн
5000+19.67 грн
7500+19.35 грн
12500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006645051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.64 грн
500+28.43 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006645051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.82 грн
15+58.68 грн
100+36.64 грн
500+28.43 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645051_1-2542856.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.07 грн
10+47.80 грн
100+28.69 грн
500+22.88 грн
1000+20.97 грн
2500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H025LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+52.65 грн
100+34.93 грн
500+25.46 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h025lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 DMT10H025LK3-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h025lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H025LK3.pdf DMT10H025LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.