DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13 Diodes Incorporated


DMT10H025SSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H025SSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H025SSS-13 за ціною від 15.24 грн до 54.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h025sss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.36 грн
500+25.15 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H025SSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.71 грн
10+37.49 грн
100+25.74 грн
500+20.15 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691022_1-2543397.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.18 грн
10+41.83 грн
100+24.98 грн
500+19.77 грн
1000+18.04 грн
2500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.35 грн
19+45.54 грн
100+28.36 грн
500+25.15 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt10h025sss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 DMT10H025SSS-13 Виробник : Diodes Inc dmt10h025sss.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H025SSS.pdf DMT10H025SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.