DMT10H032LFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 32.41 грн |
| 500+ | 25.74 грн |
| 1000+ | 17.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H032LFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.
Інші пропозиції DMT10H032LFDF-7 за ціною від 17.39 грн до 61.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT10H032LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT10H032LFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT10H032LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMT10H032LFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMT10H032LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 46mΩ Drain current: 5A Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.9nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
DMT10H032LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMT10H032LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 40A; 1.1W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 46mΩ Drain current: 5A Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.9nC Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A |
товар відсутній |