Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H032LFDF-7
DMT10H032LFDF-7

DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT10H032LFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H032LFDF-7 за ціною від 17.83 грн до 78.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMT10H032LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.94 грн
500+41.28 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 DMT10H032LFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMT10H032LFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.71 грн
17+51.04 грн
100+45.94 грн
500+41.28 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h032lfdf.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061915_1-2543305.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.90 грн
10+50.56 грн
100+35.23 грн
500+32.73 грн
1000+29.06 грн
3000+18.05 грн
6000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmt10h032lfdf.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H032LFDF.pdf DMT10H032LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.