Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H032LFVW-7
DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated

DMT10H032LFVW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+24.36 грн
4000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції DMT10H032LFVW-7 за ціною від 30.58 грн до 30.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW-7 DIODES INC. 2918036.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW-7 DIODES INC. DMT10H032LFVW.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 Diodes Zetex DMT10H032LFVW.pdf DMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 2918036.pdf
DMT10H032LFVW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW.pdf
DMT10H032LFVW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW.pdf
Виробник: Diodes Zetex
DMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.