DMT10H032LFVW-7

DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated


DMT10H032LFVW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.01 грн
4000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032LFVW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H032LFVW-7 за ціною від 26.38 грн до 60.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW-7 Виробник : DIODES INC. 2918036.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.58 грн
500+37.17 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 DMT10H032LFVW-7 Виробник : DIODES INC. 2918036.pdf Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.00 грн
16+51.99 грн
100+42.58 грн
500+37.17 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 Виробник : Diodes Zetex DMT10H032LFVW.pdf DMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 Виробник : Diodes Inc DMT10H032LFVW.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H032LFVW.pdf DMT10H032LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0010061850_1-2543459.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.