Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H032SFVW-7
DMT10H032SFVW-7

DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated

DMT10H032SFVW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.71 грн
4000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H032SFVW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT10H032SFVW-7 за ціною від 13.10 грн до 68.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H032SFVW-7 DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H032SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.44 грн
10+41.15 грн
100+26.98 грн
500+19.47 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Zetex DMT10H032SFVW.pdf DMT10H032SFVW-7
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114904_1-2543484.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.47 грн
10+36.89 грн
100+22.00 грн
500+17.36 грн
2000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Zetex DMT10H032SFVW.pdf DMT10H032SFVW-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7 Виробник : Diodes Inc DMT10H032SFVW.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.