DMT10H072LFDF-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.77 грн |
| 6000+ | 11.26 грн |
| 9000+ | 10.73 грн |
| 15000+ | 9.51 грн |
| 21000+ | 9.18 грн |
| 30000+ | 8.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H072LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT10H072LFDF-7 за ціною від 16.97 грн до 83.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 800mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V |
на замовлення 142880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMT10H072LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMT10H072LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; Idm: 22A; 1.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 1.1W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |