Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H072LFDFQ-7
DMT10H072LFDFQ-7

DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated

DMT10H072LFDFQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H072LFDFQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT10H072LFDFQ-7 за ціною від 12.51 грн до 56.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H072LFDFQ-7 DMT10H072LFDFQ-7 Виробник : Diodes Incorporated diod_s_a0009189299_1-2265471.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
10+39.43 грн
100+24.79 грн
500+19.64 грн
1000+15.89 грн
3000+13.10 грн
6000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7 DMT10H072LFDFQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H072LFDFQ.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+41.00 грн
100+26.63 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7 DMT10H072LFDFQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmt10h072lfdfq.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7 Виробник : Diodes Inc dmt10h072lfdfq.pdf 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT10H072LFDFQ.pdf DMT10H072LFDFQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.