на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 10.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT10H072LFV-7 за ціною від 9.63 грн до 53.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 278000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 182000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT10H072LFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V |
на замовлення 201949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V |
на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMT10H072LFV-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT10H072LFV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMT10H072LFV-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |