Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H072LFV-7
DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated

DMT10H072LFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+12.53 грн
4000+11.01 грн
6000+10.48 грн
10000+9.27 грн
14000+8.93 грн
20000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H072LFV-7 за ціною від 12.88 грн до 51.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex dmt10h072lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex dmt10h072lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex dmt10h072lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Zetex dmt10h072lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated DMT10H072LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
10+30.97 грн
100+20.00 грн
500+14.32 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740061_1-2542910.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 dmt10h072lfv.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 dmt10h072lfv.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 dmt10h072lfv.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 dmt10h072lfv.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.92 грн
10+30.97 грн
100+20.00 грн
500+14.32 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DIOD_S_A0007740061_1-2542910.pdf
DMT10H072LFV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DIOD-S-A0007740061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H072LFV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DIOD-S-A0007740061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H072LFV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.