Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated

Name: DMT10H072LFV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 13393777-3
Price: 25120.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	12.56 грн
4000+	11.04 грн
6000+	10.50 грн
10000+	9.29 грн
14000+	8.95 грн
20000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT10H072LFV-7 за ціною від 9.60 грн до 52.05 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	13.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 278000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Zetex

Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 182000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : DIODES INC.

DIOD-S-A0007740061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	21.59 грн
500+	15.63 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : DIODES INC.

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	41.41 грн
24+	34.64 грн
100+	21.59 грн
500+	15.63 грн
1000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V

на замовлення 2781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	49.79 грн
11+	31.60 грн
100+	18.30 грн
500+	14.16 грн
1000+	12.64 грн
2000+	9.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V

на замовлення 24949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	52.05 грн
10+	31.04 грн
100+	20.05 грн
500+	14.35 грн
1000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

DMT10H072LFV-7

Виробник : Diodes Inc

Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.