DMT10H072LFV-7

DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated


DMT10H072LFV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+12.70 грн
4000+11.16 грн
6000+10.62 грн
10000+9.39 грн
14000+9.05 грн
20000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMT10H072LFV-7 за ціною від 9.71 грн до 52.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740061_1-2542910.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.35 грн
11+31.96 грн
100+18.50 грн
500+14.31 грн
1000+12.78 грн
2000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7 DMT10H072LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT10H072LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.63 грн
10+31.39 грн
100+20.27 грн
500+14.51 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.