DMT10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 70.35 грн |
| 5000+ | 65.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V.
Інші пропозиції DMT10H4M5LPS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H4M5LPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H4M5LPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT10H4M5LPS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMT10H4M5LPS-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.