DMT10H9M9LCT DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 181.67 грн |
| 10+ | 117.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT10H9M9LCT DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm.
Інші пропозиції DMT10H9M9LCT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H9M9LCT | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
| DMT10H9M9LCT | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS |
товару немає в наявності |