DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.99 грн |
| 5000+ | 44.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT12H007LPS-13 за ціною від 44.95 грн до 135.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT12H007LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT12H007LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.9W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT12H007LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V |
на замовлення 120174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT12H007LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 18670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT12H007LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 120V 90A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT12H007LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMT12H007LPS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |