Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT12H060LFDF-7
DMT12H060LFDF-7

DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT12H060LFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2277000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.81 грн
6000+14.91 грн
9000+14.26 грн
15000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT12H060LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT12H060LFDF-7 за ціною від 14.89 грн до 71.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT12H060LFDF-7 DMT12H060LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H060LFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.55 грн
10+40.68 грн
100+24.17 грн
500+20.49 грн
1000+17.95 грн
3000+15.27 грн
6000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7 DMT12H060LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H060LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 2279807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
10+42.52 грн
100+27.71 грн
500+20.03 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT12H060LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 4.4A; Idm: 20A; 1.3W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: 7 inch reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.