Продукція > DIODES INC. > DMT12H065LFDF-13
DMT12H065LFDF-13

DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.

3199771.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.37 грн
500+35.77 грн
1000+29.53 грн
5000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT12H065LFDF-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 115V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT12H065LFDF-13 за ціною від 27.93 грн до 89.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT12H065LFDF-13 DMT12H065LFDF-13 Виробник : DIODES INC. 3199771.pdf Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.73 грн
13+68.48 грн
100+50.37 грн
500+35.77 грн
1000+29.53 грн
5000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13 Виробник : Diodes Inc DMT12H065LFDF.pdf MOSFET BVDSS: 61V100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H065LFDF.pdf Description: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.