Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT12H065LFDF-13

DMT12H065LFDF-13 Diodes Incorporated

DMT12H065LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT12H065LFDF-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 115V, Drain current: 3.4A, Power dissipation: 1.2W, Case: U-DFN2020-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 5.5nC, Pulsed drain current: 25A.

Інші пропозиції DMT12H065LFDF-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT12H065LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13 DMT12H065LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.