Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT12H065LFDF-7
DMT12H065LFDF-7

DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT12H065LFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.19 грн
6000+22.50 грн
9000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DMT12H065LFDF-7 за ціною від 25.83 грн до 97.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT12H065LFDF-7 DMT12H065LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009150461_1-2543132.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.86 грн
10+68.28 грн
100+45.58 грн
500+36.11 грн
1000+28.84 грн
3000+26.05 грн
9000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7 DMT12H065LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT12H065LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 251889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.65 грн
10+59.02 грн
100+39.07 грн
500+28.64 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT12H065LFDF.pdf DMT12H065LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.