DMT15H017LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.014 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 89.13 грн |
| 500+ | 75.71 грн |
| 1000+ | 63.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT15H017LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.014 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT15H017LPS-13 за ціною від 44.95 грн до 164.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT15H017LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.014 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMT15H017LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMT15H017LPS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |