DMT15H017LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 47.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT15H017LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT15H017LPS-13 за ціною від 46.12 грн до 184.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT15H017LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT15H017LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 150V 9.4A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |