DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.27 грн |
| 10+ | 60.69 грн |
| 100+ | 40.20 грн |
| 500+ | 29.46 грн |
| 1000+ | 26.80 грн |
| 2500+ | 23.91 грн |
| 5000+ | 21.77 грн |
| 10000+ | 20.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 814 pF @ 75 V.
Інші пропозиції DMT15H053SK3-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT15H053SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |