Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT2004UFDF-7
DMT2004UFDF-7

DMT2004UFDF-7 Diodes Incorporated

DMT2004UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.61 грн
6000+13.84 грн
9000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT2004UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT2004UFDF-7 за ціною від 13.29 грн до 66.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3199772.pdf Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.91 грн
500+19.03 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT2004UFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.23 грн
10+36.46 грн
100+21.74 грн
500+19.02 грн
1000+17.21 грн
3000+13.66 грн
6000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 Виробник : DIODES INC. 3199772.pdf Description: DIODES INC. - DMT2004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 14.1 A, 0.0048 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.90 грн
23+37.94 грн
100+25.91 грн
500+19.03 грн
1000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT2004UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.14 грн
10+39.71 грн
100+25.86 грн
500+18.66 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT2004UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 11.2A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.