DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated


DMT2004UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+16.98 грн
4000+15.00 грн
6000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMT2004UFG-7 за ціною від 17.37 грн до 67.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated DMT2004UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+40.67 грн
100+26.54 грн
500+19.20 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated DMT2004UFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
10+40.67 грн
100+26.54 грн
500+19.20 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.