Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT2004UFG-7
DMT2004UFG-7

DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated

DMT2004UFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.66 грн
4000+16.49 грн
6000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT2004UFG-7 за ціною від 15.75 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT2004UFG.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.10 грн
10+44.70 грн
100+29.17 грн
500+21.10 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT2004UFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.82 грн
10+49.17 грн
100+27.87 грн
500+21.49 грн
1000+19.53 грн
2000+17.16 грн
4000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT2004UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.