DMT2004UPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.36 грн |
| 5000+ | 16.27 грн |
| 7500+ | 15.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT2004UPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT2004UPS-13 за ціною від 15.99 грн до 82.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMT2004UPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMT2004UPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
