Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3006LDV-7
DMT3006LDV-7

DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated

DMT3006LDV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.84 грн
4000+16.67 грн
6000+15.92 грн
10000+14.15 грн
14000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC).

Інші пропозиції DMT3006LDV-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3006LDV-7 DMT3006LDV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045526_1-2542628.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.