
DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 19.06 грн |
4000+ | 16.86 грн |
6000+ | 16.10 грн |
10000+ | 14.31 грн |
14000+ | 14.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC).
Інші пропозиції DMT3006LDV-7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT3006LDV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |