DMT3006LFDF-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3006LFDF-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W, Mounting: SMD, Power dissipation: 2.1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 16.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 12.5A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMT3006LFDF-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT3006LFDF-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN |
товар відсутній |
|
 |
DMT3006LFDF-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
товар відсутній |
|
| DMT3006LFDF-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Mounting: SMD Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |