DMT3006LFDFQ-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.53 грн |
| 500+ | 18.63 грн |
| 1000+ | 14.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3006LFDFQ-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMT3006LFDFQ-7 за ціною від 10.62 грн до 62.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT3006LFDFQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3006LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.1 A, 5800 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMT3006LFDFQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMT3006LFDFQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 25V30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DMT3006LFDFQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMT3006LFDFQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 80A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 12.5A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Case: U-DFN2020-6 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |