DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated


DMT3006LFV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.42 грн
6000+17.09 грн
9000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT3006LFV-13 за ціною від 16.86 грн до 67.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006154553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.08 грн
500+21.80 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3006LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.52 грн
10+42.34 грн
100+28.97 грн
500+21.84 грн
1000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006154553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.78 грн
19+45.43 грн
100+31.08 грн
500+21.80 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3006LFV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.98 грн
10+46.23 грн
100+27.55 грн
500+22.58 грн
1000+20.48 грн
3000+17.16 грн
6000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13 Виробник : Diodes Inc dmt3006lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3006LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFV-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3006LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 90A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.