на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.08 грн |
| 10+ | 51.29 грн |
| 100+ | 29.05 грн |
| 500+ | 22.41 грн |
| 1000+ | 20.22 грн |
| 2500+ | 16.68 грн |
| 5000+ | 16.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W, Case: PowerDI5060-8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 12.6nC, On-state resistance: 14mΩ, Power dissipation: 1.7W, Drain current: 9/11A, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 80...100A, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMT3006LPB-13 за ціною від 18.45 грн до 18.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT3006LPB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DMT3006LPB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12.6nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 9/11A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80...100A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||
| DMT3006LPB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 12.6nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 9/11A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80...100A Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |