Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3006LPB-13
DMT3006LPB-13

DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated

DMT3006LPB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.11 грн
10+51.31 грн
100+29.06 грн
500+22.42 грн
1000+20.23 грн
2500+16.46 грн
5000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S).

Інші пропозиції DMT3006LPB-13 за ціною від 18.45 грн до 18.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3006LPB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3006LPB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 11A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type S)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3006LPB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 12.6nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 9/11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80...100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.