на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.58 грн |
| 10+ | 41.33 грн |
| 100+ | 24.51 грн |
| 500+ | 20.53 грн |
| 1000+ | 17.87 грн |
| 2500+ | 15.08 грн |
| 5000+ | 14.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80...100A, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9/11A, On-state resistance: 14mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMT3006LPB-13 за ціною від 18.43 грн до 18.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT3006LPB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DMT3006LPB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Mounting: SMD Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||
| DMT3006LPB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Mounting: SMD Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |