DMT3006LPB-13

DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0006645049_1-2542720.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.82 грн
10+46.79 грн
100+27.74 грн
500+23.17 грн
1000+20.23 грн
2500+17.73 грн
5000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9/11A, On-state resistance: 14mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80...100A, Mounting: SMD, Case: PowerDI5060-8, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції DMT3006LPB-13 за ціною від 20.42 грн до 20.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3006LPB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3006LPB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3006LPB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80...100A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LPB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3006LPB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9/11A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80...100A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.